질화알루미늄(AlN)은 높은 열 전도성과 전기절연 특성이 탁월하여 열 관리(Thermal management) 및 전기 응용분야에 이상적인 소재 입니다.
또한 AlN은 가공 시 건강에 해롭지 않기 때문에 반도체 산업에서 산화베릴륨(BeO)의 대체하고 실리콘 웨이퍼 와 거의 일치하는 열팽창 계수 및 전기 절연 특성을 갖고 있어 고온 및 방열이 중요시 되는 전자 응용 분야에 유용한 재료입니다.

특징
- 알루미나 열전도율의 5배 이상(Over five times the thermal conductance of Alumina)
- 우수한 플라즈마 저항성(Good plasma resistance)
- 우수한 열충격 성능(Excellent thermal shock performance)
- 베릴리아의 독성 없음(No toxic issues of beryllia)
- 고성능의 소형장치가 더욱 빠르고 효과적으로 작동할 수 있도록 지원

응용분야
- 고전력 절연체
- 레이저 부품
- 수냉식 방열판
- 전력전자
- 방열판
- 열 분산기
- 레이저 방열판 전력 정류기
- ISO9001/2015에 공급되는 항공우주, 전력전자, 정류기

* 봉재, 판재, 각재 및 주문제작 형태로 공급됩니다. 주문제작의 경우 도면과 함께 견적요청 바랍니다.

Mechanical Properties(No Load)
	Unit	PCAN1000	PCAN2000	PCAN3000	PCAN4000	PCAN1000S
Density	g/cm³	3.32	3.32	3.32	3.3	3.3
Modulus of Elasticity	Gpa				320	320
Fracture Toughness KIC	Mpa m^1/2	3	3	3	2.5	3
Poisson's Ratio					0.22
Compressive Strength	MPa	3000	3000	3000
Flexural Strength @ 25°C	Mpa	350	350	350	350	350
Hardness	GPa	10	10	0	12	11
Yttria	%	3.4	3.4	3.4
Oxygen	%	1.7	1.7	1.7
Thermal Properties
Thermal Conductivity @ 25°C	W/mK	170	200	230	200	170
CTE 25°C ➞ 400°C	10^-6/K	4.5	4.5	4.5	3.5	4.6
Maximum Temperature (Inert)		1200	1200	1200	1200	1200
Heat Radiation	(100°C)	0.93	0.93	0.93
Electrical Properties
Dielectric Constant	1 MHz	8.8	8.8	8.8	8.5	8.8
Dielectric Loss	1 MHz	5x10^-4	5x10^-4	5x10^-4
Dielectric Voltage	kV/mm	15	15	15	70	14
Volume Resistivity @ 25°C	ohm-cm	>10¹³	>10¹³	>10¹³	>10¹⁴	>10¹⁴

* Note: AlN은 표면 산화에 취약합니다. 산화가 발생하면 산화알루미늄 층이 형성됩니다. 이는 재료를 보호하는 데 도움이 되지만 열 전도성에 영향을 미칩니다(알루미나는 ~30 W/m.K입니다).
산화 분위기(In oxidizing atmospheres)에서는 약 700°C에서 산화가 이러한 현상이 발생하며 불활성 대기에서 이 층은 최대 1350°C까지 AlN을 보호합니다. 이 이상의 온도에서는 대량 산화가 발생합니다.